SI6969DQ-T1-GE3
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| Teilenummer | SI6969DQ-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI6969DQ-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.906 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI6969DQ-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI6969DQ-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI6969DQ-T1-GE3, SI6969DQ-T1-GE3 Datenblatt
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SI6969DQ-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 880mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 880mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id 750mV @ 1.6µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.26nC @ 2.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 78pF @ 10V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel, Common Drain FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V, 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V Leistung - max 48W (Tc), 60W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount, Wettable Flank Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller Micro Commercial Co Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 10V Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket SOT-23-6L |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.1A (Ta), 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8.1A, 10V, 25mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.2nC @ 10V, 30.9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 15V, 1573pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
