SI7956DP-T1-GE3
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| Teilenummer | SI7956DP-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI7956DP-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 101.004 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI7956DP-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI7956DP-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI7956DP-T1-GE3, SI7956DP-T1-GE3 Datenblatt
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SI7956DP-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 4.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.4W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 Dual |
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Hersteller SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1530pF @ 10V Leistung - max 2.3W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
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