SI8275GB-IM1R
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| Teilenummer | SI8275GB-IM1R |
| PNEDA Teilenummer | SI8275GB-IM1R |
| Beschreibung | 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR |
| Hersteller | Silicon Labs |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.550 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI8275GB-IM1R Ressourcen
| Marke | Silicon Labs |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI8275GB-IM1R |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Isolatoren - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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SI8275GB-IM1R Technische Daten
| Hersteller | Silicon Labs |
| Serie | * |
| Technologie | - |
| Anzahl der Kanäle | - |
| Spannungsisolation | - |
| Gleichtakt-Transientenimmunität (min) | - |
| Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max) | - |
| Pulsbreitenverzerrung (max.) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Strom - Ausgang hoch, niedrig | - |
| Strom - Spitzenleistung | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | - |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | - |
| Spannung - Ausgangsversorgung | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Zulassungen | - |
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Hersteller Silicon Labs Serie Automotive, AEC-Q100 Technologie Capacitive Coupling Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Gleichtakt-Transientenimmunität (min) 35kV/µs Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max) 50ns, 50ns Pulsbreitenverzerrung (max.) 5ns Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 5.5ns, 8.5ns Strom - Ausgang hoch, niedrig 2.5A, 3A Strom - Spitzenleistung 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) - Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) - Spannung - Ausgangsversorgung 2.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 20-SOIC Zulassungen CQC, CSA, UL, VDE |
