SI9976DY-T1-E3
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| Teilenummer | SI9976DY-T1-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SI9976DY-T1-E3 |
| Beschreibung | IC DRVR MOSF 1/2BRDG N-CH 14SOIC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.966 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SI9976DY-T1-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI9976DY-T1-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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SI9976DY-T1-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 16.5V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 1V, 4V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 500mA, 500mA |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 40V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 110ns, 50ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 14-SOIC |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration High-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 290mA, 600mA Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 75ns, 35ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
