SIA911DJ-T1-GE3
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| Teilenummer | SIA911DJ-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIA911DJ-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.802 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIA911DJ-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIA911DJ-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SIA911DJ-T1-GE3, SIA911DJ-T1-GE3 Datenblatt
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SIA911DJ-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.8nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 355pF @ 10V |
| Leistung - max | 6.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VQFN Lieferantengerätepaket 6-PQFN (2x2) |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 15V Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ 4 N-Channel, Matched Pair FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm Vgs (th) (Max) @ Id 20mV @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 5V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 13V Leistung - max 1.7W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DirectFET™ Isometric SA Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ SA |
