SIDC42D120H6X1SA3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SIDC42D120H6X1SA3 |
| PNEDA Teilenummer | SIDC42D120H6X1SA3 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.552 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SIDC42D120H6X1SA3 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIDC42D120H6X1SA3 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
SIDC42D120H6X1SA3, SIDC42D120H6X1SA3 Datenblatt
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SIDC42D120H6X1SA3 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 75A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 75A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 27µA @ 1200V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Sawn on foil |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Torex Semiconductor Ltd Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 16A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 16A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 145pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 80A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 80A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 35V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. 25pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AL (DO-41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.6V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F-2L Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
