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SIDC42D120H6X1SA3

SIDC42D120H6X1SA3

Nur als Referenz

Teilenummer SIDC42D120H6X1SA3
PNEDA Teilenummer SIDC42D120H6X1SA3
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.552
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 18 - Jun 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SIDC42D120H6X1SA3 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIDC42D120H6X1SA3
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SIDC42D120H6X1SA3, SIDC42D120H6X1SA3 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 276,35 KB)
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SIDC42D120H6X1SA3 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)75A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.6V @ 75A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr27µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketSawn on foil
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

UPS5819E3TR7

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-216AA

Lieferantengerätepaket

Powermite 1 (DO216-AA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BYG21KHM3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

120ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

FESB16JT-E3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 16A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

145pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

HS3A M6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

80pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

FFPF08S60STTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.6V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F-2L

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Kürzlich verkauft

S2B-13-F

S2B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB

1SMB5925BT3G

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CMS16(TE12L,Q,M)

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Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 40V 3A MFLAT

SD103AW-E3-08

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V SOD123

PIC18F1220-I/SO

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 18SOIC

1N4004GP-E3/54

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

1SMB36AT3G

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Littelfuse

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

LSXH4L

LSXH4L

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SWITCH SNAP ACTION DPDT 10A 120V

T495D337K006ATE040

T495D337K006ATE040

KEMET

CAP TANT 330UF 10% 6.3V 2917

VMMK-1218-TR1G

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Broadcom

FET RF 5V 10GHZ 0402

RB551V-30-TP

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Micro Commercial Co

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD323

0466005.NRHF

0466005.NRHF

Littelfuse

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