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SIDC42D60E6X1SA1

SIDC42D60E6X1SA1

Nur als Referenz

Teilenummer SIDC42D60E6X1SA1
PNEDA Teilenummer SIDC42D60E6X1SA1
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 100A WAFER
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.806
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 8 - Jul 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SIDC42D60E6X1SA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIDC42D60E6X1SA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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SIDC42D60E6X1SA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)100A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 100A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr27µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketSawn on foil
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/116

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

20ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

CEFA104-G

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

STPSC1006D

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 10A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

650pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

FR157GHA0G

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

20pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AC (DO-15)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

AR3PGHM3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1.8A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

44pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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