SIE854DF-T1-GE3
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| Teilenummer | SIE854DF-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIE854DF-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.174 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIE854DF-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIE854DF-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SIE854DF-T1-GE3, SIE854DF-T1-GE3 Datenblatt
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SIE854DF-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 60A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.2mOhm @ 13.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 10-PolarPAK® (L) |
| Paket / Fall | 10-PolarPAK® (L) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 800mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Paket / Fall 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 24V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2120pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 85W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 27W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 61.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35.2nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2067pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 105W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall SC-100, SOT-669 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Ta), 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-PQFN (3x3) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
