SIGC109T120R3LEX1SA2
Nur als Referenz
| Teilenummer | SIGC109T120R3LEX1SA2 |
| PNEDA Teilenummer | SIGC109T120R3LEX1SA2 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 100A DIE |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.914 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 30 - Jun 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SIGC109T120R3LEX1SA2 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | SIGC109T120R3LEX1SA2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- SIGC109T120R3LEX1SA2 Datasheet
- where to find SIGC109T120R3LEX1SA2
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies SIGC109T120R3LEX1SA2
- SIGC109T120R3LEX1SA2 PDF Datasheet
- SIGC109T120R3LEX1SA2 Stock
- SIGC109T120R3LEX1SA2 Pinout
- Datasheet SIGC109T120R3LEX1SA2
- SIGC109T120R3LEX1SA2 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- SIGC109T120R3LEX1SA2 Price
- SIGC109T120R3LEX1SA2 Distributor
SIGC109T120R3LEX1SA2 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 580A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 75A Leistung - max 1040W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 350nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 8A Leistung - max 30W Schaltenergie 80µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 20.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/55ns Testbedingung 300V, 8A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 75ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FL |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™, Lightspeed™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A Leistung - max 54W Schaltenergie 70µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9ns/65ns Testbedingung 480V, 7A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (IXGA) |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 125W Schaltenergie 81µJ (on), 125µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/90ns Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 31ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX4™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 340A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 840A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 120A Leistung - max 1200W Schaltenergie 5.75mJ (on), 2.67mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 250nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 54ns/270ns Testbedingung 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 105ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
