SIHB12N50E-GE3
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Teilenummer | SIHB12N50E-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SIHB12N50E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
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Auf Lager | 5.094 |
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SIHB12N50E-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SIHB12N50E-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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SIHB12N50E-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 886pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 114W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263) |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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