SIHD3N50DT4-GE3
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| Teilenummer | SIHD3N50DT4-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIHD3N50DT4-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V DPAK TO-252 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.388 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 4 - Jul 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SIHD3N50DT4-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIHD3N50DT4-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SIHD3N50DT4-GE3, SIHD3N50DT4-GE3 Datenblatt
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SIHD3N50DT4-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | * |
| FET-Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
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