SIHH21N65E-T1-GE3
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| Teilenummer | SIHH21N65E-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIHH21N65E-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.028 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIHH21N65E-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIHH21N65E-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SIHH21N65E-T1-GE3, SIHH21N65E-T1-GE3 Datenblatt
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SIHH21N65E-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 99nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2404pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 156W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 8 x 8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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