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SIHP12N65E-GE3

SIHP12N65E-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIHP12N65E-GE3
PNEDA Teilenummer SIHP12N65E-GE3
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 6.084
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SIHP12N65E-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIHP12N65E-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SIHP12N65E-GE3, SIHP12N65E-GE3 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 291,28 KB)
PDFSIHP12N65E-GE3 Datenblatt Cover
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SIHP12N65E-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1224pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)156W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

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NTP6413ANG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 42A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

DMTH4007SPS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15.7A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2082pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

FDMS1D5N03

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

218A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.15mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9690pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

STD45N10F7

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ VII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1640pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ZVP2106GTA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

450mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 18V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Kürzlich verkauft

74AC244SC

74AC244SC

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IC BUFFER NON-INVERT 6V 20SOIC

SD103AW-E3-08

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO

MCIMX6G1CVM05AA

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