Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SISC06DN-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SISC06DN-T1-GE3
Beschreibung MOSFET N-CH 30V
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 21.762
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SISC06DN-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSISC06DN-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SISC06DN-T1-GE3, SISC06DN-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 211,71 KB)
PDFSISC06DN-T1-GE3 Datenblatt Cover
SISC06DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SISC06DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SISC06DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SISC06DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SISC06DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SISC06DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SISC06DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SISC06DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SISC06DN-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SISC06DN-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3
  • SISC06DN-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SISC06DN-T1-GE3 Stock

  • SISC06DN-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SISC06DN-T1-GE3
  • SISC06DN-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SISC06DN-T1-GE3 Price
  • SISC06DN-T1-GE3 Distributor

SISC06DN-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET® Gen IV
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.27.6A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58nC @ 10V
Vgs (Max)+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2455pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.7W (Ta), 46.3W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerPAK® 1212-8
Paket / FallPowerPAK® 1212-8

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DMP2018LFK-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

113nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4748pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

U-DFN2523-6

Paket / Fall

6-PowerUDFN

DMN2400UFB4-7R

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

IRFU320

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-251AA

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRFBC30PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

74W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IRFR3711ZCTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

93A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.45V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2160pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

79W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

M93C46-WBN6

M93C46-WBN6

STMicroelectronics

IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8DIP

FM25V02A-DG

FM25V02A-DG

Cypress Semiconductor

IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN

MIC49150WR

MIC49150WR

Microchip Technology

IC REG LIN POS ADJ 1.5A SPAK-5

SFH6106-2T

SFH6106-2T

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-SMD

W25Q64FVSSIG

W25Q64FVSSIG

Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC

PIC18F46K20-I/PT

PIC18F46K20-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 44TQFP

TAJD227K010RNJ

TAJD227K010RNJ

CAP TANT 220UF 10% 10V 2917

LTC4364HS-2#PBF

LTC4364HS-2#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC SURGE STOPPER W/DIODE SMD

2N7002LT1G

2N7002LT1G

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

DS18S20Z+T&R

DS18S20Z+T&R

Maxim Integrated

SENSOR DIGITAL -55C-125C 8SOIC

ADR421ARZ

ADR421ARZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

ISL6269CRZ

ISL6269CRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CTRLR BUCK 16QFN