SISS30DN-T1-GE3
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Teilenummer | SISS30DN-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SISS30DN-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
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Auf Lager | 5.040 |
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SISS30DN-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SISS30DN-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
SISS30DN-T1-GE3, SISS30DN-T1-GE3 Datenblatt
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SISS30DN-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15.9A (Ta), 54.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.25mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1666pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8S |
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