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SIZ346DT-T1-GE3

SIZ346DT-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIZ346DT-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIZ346DT-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
Hersteller Vishay Siliconix
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SIZ346DT-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIZ346DT-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIZ346DT-T1-GE3, SIZ346DT-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 380,34 KB)
PDFSIZ346DT-T1-GE3 Datenblatt Cover
SIZ346DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SIZ346DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SIZ346DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SIZ346DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SIZ346DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SIZ346DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SIZ346DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SIZ346DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SIZ346DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SIZ346DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

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SIZ346DT-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SeriePowerPAIR®, TrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.17A (Tc), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Leistung - max16W, 16.7W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket8-Power33 (3x3)

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Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13.5pF @ 3V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

US6

DMN61D8LVTQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

630mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 150mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.74nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12.9pF @ 12V

Leistung - max

820mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

NTJD4105CT4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V, 8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

630mA, 775mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 20V

Leistung - max

270mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

DMP2160UFDB-7R

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

QS8J5TR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 10V

Leistung - max

600mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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