SMA5125
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| Teilenummer | SMA5125 |
| PNEDA Teilenummer | SMA5125 |
| Beschreibung | MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP |
| Hersteller | Sanken |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 13.794 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SMA5125 Ressourcen
| Marke | Sanken |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SMA5125 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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SMA5125 Technische Daten
| Hersteller | Sanken |
| Serie | - |
| FET-Typ | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 5A, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 10V |
| Leistung - max | 4W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 12-SIP |
| Lieferantengerätepaket | 12-SIP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 16V Leistung - max 750mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
