SN7002NL6433HTMA1
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| Teilenummer | SN7002NL6433HTMA1 |
| PNEDA Teilenummer | SN7002NL6433HTMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.934 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SN7002NL6433HTMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SN7002NL6433HTMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SN7002NL6433HTMA1, SN7002NL6433HTMA1 Datenblatt
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SN7002NL6433HTMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | SIPMOS® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 200mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 26µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 45pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 360mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss) 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 78A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 60A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 20V Vgs (Max) +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3950pF @ 700V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 273W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket ISOTOP® Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
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