Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SP8K3FU6TB

SP8K3FU6TB

Nur als Referenz

Teilenummer SP8K3FU6TB
PNEDA Teilenummer SP8K3FU6TB
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Hersteller Rohm Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.186
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 9 - Jun 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SP8K3FU6TB Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSP8K3FU6TB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SP8K3FU6TB, SP8K3FU6TB Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 60,35 KB)
PDFSP8K3FU6TB Datenblatt Cover
SP8K3FU6TB Datenblatt Seite 2 SP8K3FU6TB Datenblatt Seite 3 SP8K3FU6TB Datenblatt Seite 4

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SP8K3FU6TB Datasheet
  • where to find SP8K3FU6TB
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor SP8K3FU6TB
  • SP8K3FU6TB PDF Datasheet
  • SP8K3FU6TB Stock

  • SP8K3FU6TB Pinout
  • Datasheet SP8K3FU6TB
  • SP8K3FU6TB Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • SP8K3FU6TB Price
  • SP8K3FU6TB Distributor

SP8K3FU6TB Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 10V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI1553DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

660mA, 410mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

385mOhm @ 660mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

270mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-70-6 (SOT-363)

IRF7316TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SSD2007ASTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

DMN2040LSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

562pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

APTM100DUM90G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V (1kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

78A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

744nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20700pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

Kürzlich verkauft

CY14B256LA-SZ25XIT

CY14B256LA-SZ25XIT

Cypress Semiconductor

IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC

ESDR0502NMUTBG

ESDR0502NMUTBG

ON Semiconductor

TVS DIODE 5.5V 6UDFN

BF862,215

BF862,215

NXP

JFET N-CH 20V 25MA SOT23

TAJA226M010RNJ

TAJA226M010RNJ

CAP TANT 22UF 20% 10V 1206

0251001.MXL

0251001.MXL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 1A 125VAC/VDC AXIAL

AD9837BCPZ-RL

AD9837BCPZ-RL

Analog Devices

IC DDS 16MHZ 10BIT 10LFCSP

ADM3202ARUZ-REEL7

ADM3202ARUZ-REEL7

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

MPX5010DP

MPX5010DP

NXP

SENSOR DIFF PRESS 1.45 PSI MAX

M29W160ET70N6E

M29W160ET70N6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

HSMF-C155

HSMF-C155

Broadcom

LED GREEN/RED DIFFUSED CHIP SMD

NHD-0420CW-AW3

NHD-0420CW-AW3

Newhaven Display Intl

4X20 WHITE SLIM CHARACTER OLED

MLX90614ESF-DCI-000-SP

MLX90614ESF-DCI-000-SP

Melexis Technologies NV

SENSOR DGTL -40C-85C TO39