SP8M3TB
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| Teilenummer | SP8M3TB |
| PNEDA Teilenummer | SP8M3TB |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.904 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SP8M3TB Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SP8M3TB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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SP8M3TB Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A, 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V Leistung - max 300mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6) |
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