SPP12N50C3XKSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | SPP12N50C3XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | SPP12N50C3XKSA1 |
| Beschreibung | LOW POWER_LEGACY |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.696 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 18 - Jun 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SPP12N50C3XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SPP12N50C3XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SPP12N50C3XKSA1, SPP12N50C3XKSA1 Datenblatt
(Total Pages: 14, Größe: 639,26 KB)
  
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SPP12N50C3XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | * |
| FET-Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SMCP Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 305nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 19000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 357W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket ISOPLUS264™ Paket / Fall ISOPLUS264™ |
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Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 11A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 15V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7050pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 700W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227B Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
