Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SQD50N06-09L_GE3

SQD50N06-09L_GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SQD50N06-09L_GE3
PNEDA Teilenummer SQD50N06-09L_GE3
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 50A
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.058
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 13 - Jun 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SQD50N06-09L_GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSQD50N06-09L_GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SQD50N06-09L_GE3, SQD50N06-09L_GE3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 158,9 KB)
PDFSQD50N06-09L_GE3 Datenblatt Cover
SQD50N06-09L_GE3 Datenblatt Seite 2 SQD50N06-09L_GE3 Datenblatt Seite 3 SQD50N06-09L_GE3 Datenblatt Seite 4 SQD50N06-09L_GE3 Datenblatt Seite 5 SQD50N06-09L_GE3 Datenblatt Seite 6 SQD50N06-09L_GE3 Datenblatt Seite 7 SQD50N06-09L_GE3 Datenblatt Seite 8 SQD50N06-09L_GE3 Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SQD50N06-09L_GE3 Datasheet
  • where to find SQD50N06-09L_GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SQD50N06-09L_GE3
  • SQD50N06-09L_GE3 PDF Datasheet
  • SQD50N06-09L_GE3 Stock

  • SQD50N06-09L_GE3 Pinout
  • Datasheet SQD50N06-09L_GE3
  • SQD50N06-09L_GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SQD50N06-09L_GE3 Price
  • SQD50N06-09L_GE3 Distributor

SQD50N06-09L_GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3065pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)136W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-252, (D-Pak)
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

AON6524_001

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

27A (Ta), 68A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.7W (Ta), 35.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

TSM2328CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

975pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.38W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

AONS21357

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Ta), 36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2830pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5W (Ta), 48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

RD3P130SPFRATL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

20W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFS4010-7PPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

190A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 110A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9830pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

380W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Kürzlich verkauft

HDSP-0770

HDSP-0770

Broadcom

DISPLAY 4X7 NUM RDP BCD HER

ADP3339AKCZ-2.5-R7

ADP3339AKCZ-2.5-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR 2.5V 1.5A SOT223-3

HX5120NL

HX5120NL

Pulse Electronics Network

PULSE XFMR 1 CT:1CT TX/RX 350UH

FDLL4148

FDLL4148

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA LL34

MT25QL128ABA1EW9-0SIT

MT25QL128ABA1EW9-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN

AD9515BCPZ

AD9515BCPZ

Analog Devices

IC CLK BUFFER 1:2 1.6GHZ 32LFCSP

MM74HC163N

MM74HC163N

ON Semiconductor

IC COUNTER BINARY PRESET 16-DIP

NC7WZ241K8X

NC7WZ241K8X

ON Semiconductor

IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US8

SP3012-06UTG

SP3012-06UTG

Littelfuse

TVS DIODE 5V 7V 14UDFN

MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 64LBGA

AT25DF321-SU

AT25DF321-SU

Adesto Technologies

IC FLASH 32M SPI 70MHZ 8SOIC

EX-11EB

EX-11EB

Panasonic Industrial Automation Sales

SENSOR THROUGH-BEAM 15CM NPN