SQJ974EP-T1_GE3
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| Teilenummer | SQJ974EP-T1_GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SQJ974EP-T1_GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 58.386 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SQJ974EP-T1_GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SQJ974EP-T1_GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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SQJ974EP-T1_GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 25V |
| Leistung - max | 48W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 Dual |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.5A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 15V Leistung - max 2.16W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 (Type D) |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 12A, 10V, 37mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 4.5V, 11.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 15V, 1100pF @ 15V Leistung - max 25W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Lieferantengerätepaket TO-252-4L |
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Hersteller STMicroelectronics Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 970pF @ 25V Leistung - max 70W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.8A, 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 608pF @ 15V Leistung - max 1.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
