SQJB80EP-T1_GE3
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Teilenummer | SQJB80EP-T1_GE3 |
PNEDA Teilenummer | SQJB80EP-T1_GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
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SQJB80EP-T1_GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SQJB80EP-T1_GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
SQJB80EP-T1_GE3, SQJB80EP-T1_GE3 Datenblatt
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SQJB80EP-T1_GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Leistung - max | 48W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 Dual |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 Dual |
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