Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SQM120N10-3M8_GE3

SQM120N10-3M8_GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SQM120N10-3M8_GE3
PNEDA Teilenummer SQM120N10-3M8_GE3
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 22.866
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 26 - Mai 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SQM120N10-3M8_GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSQM120N10-3M8_GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SQM120N10-3M8_GE3, SQM120N10-3M8_GE3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 165,49 KB)
PDFSQM120N10-3M8_GE3 Datenblatt Cover
SQM120N10-3M8_GE3 Datenblatt Seite 2 SQM120N10-3M8_GE3 Datenblatt Seite 3 SQM120N10-3M8_GE3 Datenblatt Seite 4 SQM120N10-3M8_GE3 Datenblatt Seite 5 SQM120N10-3M8_GE3 Datenblatt Seite 6 SQM120N10-3M8_GE3 Datenblatt Seite 7 SQM120N10-3M8_GE3 Datenblatt Seite 8 SQM120N10-3M8_GE3 Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SQM120N10-3M8_GE3 Datasheet
  • where to find SQM120N10-3M8_GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SQM120N10-3M8_GE3
  • SQM120N10-3M8_GE3 PDF Datasheet
  • SQM120N10-3M8_GE3 Stock

  • SQM120N10-3M8_GE3 Pinout
  • Datasheet SQM120N10-3M8_GE3
  • SQM120N10-3M8_GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SQM120N10-3M8_GE3 Price
  • SQM120N10-3M8_GE3 Distributor

SQM120N10-3M8_GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs190nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7230pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)375W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-263 (D²Pak)
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPA105N15N3GXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

37A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 160µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 75V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

RD3L150SNFRATL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

930pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

20W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SIRA62DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

51.4A (Ta), 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Vgs (Max)

+16V, -12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4460pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.2W (Ta), 65.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

RJL6012DPE-00#J3

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

4-LDPAK

Paket / Fall

SC-83

SI4128BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

Kürzlich verkauft

SQ3427EEV-T1-GE3

SQ3427EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

MT28GU01GAAA1EGC-0SIT

MT28GU01GAAA1EGC-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 64TBGA

MX25L25735FMI-10G

MX25L25735FMI-10G

Macronix

IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOP

ADM3222ARSZ

ADM3222ARSZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

MMSS8550-H-TP

MMSS8550-H-TP

Micro Commercial Co

TRANS PNP 25V 1.5A SOT23

0452007.MRL

0452007.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 72VAC 60VDC 2SMD

SI8233BB-D-IS

SI8233BB-D-IS

Silicon Labs

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC

LTST-S326KGJRKT

LTST-S326KGJRKT

Lite-On Inc.

LED GREEN/RED CLEAR CHIP SMD R/A

LTST-C295KGKRKT

LTST-C295KGKRKT

Lite-On Inc.

LED GREEN/RED CLEAR CHIP SMD

BLM18KG121TN1D

BLM18KG121TN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

74VHC125TTR

74VHC125TTR

STMicroelectronics

IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP

TA8428K(O,S)

TA8428K(O,S)

Toshiba Semiconductor and Storage

IC MOTOR DRIVER 7V-27V 7HSIP