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SQS944ENW-T1_GE3

SQS944ENW-T1_GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SQS944ENW-T1_GE3
PNEDA Teilenummer SQS944ENW-T1_GE3
Beschreibung MOSFET N-CHAN 40V
Hersteller Vishay Siliconix
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SQS944ENW-T1_GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSQS944ENW-T1_GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SQS944ENW-T1_GE3, SQS944ENW-T1_GE3 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 595,2 KB)
PDFSQS944ENW-T1_GE3 Datenblatt Cover
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SQS944ENW-T1_GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds615pF @ 25V
Leistung - max27.8W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount, Wettable Flank
Paket / FallPowerPAK® 1212-8W Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® 1212-8W Dual

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.5A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

767pF @ 10V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

Leistung - max

48W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

FMP76-01T

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel, Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

54A (Tc), 62A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

197nC @ 10V, 104nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V

Leistung - max

89W, 132W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUSi5-Pak™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

DMN2004DWKQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

540mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.95nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V

Leistung - max

200mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-363

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1171pF @ 15V

Leistung - max

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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