SSM3J35CT,L3F
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| Teilenummer | SSM3J35CT,L3F |
| PNEDA Teilenummer | SSM3J35CT-L3F |
| Beschreibung | MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.438 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSM3J35CT Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM3J35CT,L3F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SSM3J35CT Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | π-MOSVI |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 50mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12.2pF @ 3V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 100mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | CST3 |
| Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 65A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 46A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 330W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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