SSM6J212FE,LF
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| Teilenummer | SSM6J212FE,LF |
| PNEDA Teilenummer | SSM6J212FE-LF |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.274 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSM6J212FE Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM6J212FE,LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SSM6J212FE Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVI |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40.7mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.1nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | ES6 |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
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