SSM6N61NU,LF
Nur als Referenz
| Teilenummer | SSM6N61NU,LF |
| PNEDA Teilenummer | SSM6N61NU-LF |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.670 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSM6N61NU Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM6N61NU,LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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SSM6N61NU Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 10V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-UDFNB (2x2) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
