SSM6P35AFU,LF
Nur als Referenz
| Teilenummer | SSM6P35AFU,LF |
| PNEDA Teilenummer | SSM6P35AFU-LF |
| Beschreibung | SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 25.890 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 18 - Jun 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SSM6P35AFU Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | SSM6P35AFU,LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- SSM6P35AFU,LF Datasheet
- where to find SSM6P35AFU,LF
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35AFU,LF
- SSM6P35AFU,LF PDF Datasheet
- SSM6P35AFU,LF Stock
- SSM6P35AFU,LF Pinout
- Datasheet SSM6P35AFU,LF
- SSM6P35AFU,LF Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- SSM6P35AFU,LF Price
- SSM6P35AFU,LF Distributor
SSM6P35AFU Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVII |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 250mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 42pF @ 10V |
| Leistung - max | 285mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | US6 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N Channel (Phase Leg) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 150A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 30mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 483nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8400pF @ 1000V Leistung - max 925W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 337A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 180A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1224nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 1000V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V Leistung - max 2.2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 |
Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ 4 N-Channel, Matched Pair FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 20mV @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 16-PDIP |
