STB5N62K3
Nur als Referenz
| Teilenummer | STB5N62K3 |
| PNEDA Teilenummer | STB5N62K3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 620V 4.2A D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.570 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 11 - Jul 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
STB5N62K3 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | STB5N62K3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- STB5N62K3 Datasheet
- where to find STB5N62K3
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STB5N62K3
- STB5N62K3 PDF Datasheet
- STB5N62K3 Stock
- STB5N62K3 Pinout
- Datasheet STB5N62K3
- STB5N62K3 Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STB5N62K3 Price
- STB5N62K3 Distributor
STB5N62K3 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | SuperMESH3™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 620V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 2.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 70W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Global Power Technologies Group Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 545pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 30.4W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220F Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1028pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 660mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-363 Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.8nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 226pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 20W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FP Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 560W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-264AA (IXFK) Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 40W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
