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STD17NF03LT4

STD17NF03LT4

Nur als Referenz

Teilenummer STD17NF03LT4
PNEDA Teilenummer STD17NF03LT4
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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STD17NF03LT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTD17NF03LT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STD17NF03LT4, STD17NF03LT4 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 305,67 KB)
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STD17NF03LT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ II
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 5V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds320pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)30W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 10V

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.)

520mW (Ta), 8.3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DFN2020-6

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

SI4427BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 12.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

CSD17552Q5A

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Ta), 60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-VSONP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IRFB38N20DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

43A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

54mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

SIHD1K4N60E-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

E

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.45Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

172pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

63W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

MIC2775-22YM5-TR

MIC2775-22YM5-TR

Microchip Technology

IC SUPERVISOR MICROPOWER SOT23-5

LTST-C190TGKT

LTST-C190TGKT

Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

CM1230-02CP

CM1230-02CP

ON Semiconductor

TVS DIODE 3.3V 9.8V 4WLCSP

ADP2384ACPZN-R7

ADP2384ACPZN-R7

Analog Devices

IC REG BUCK ADJ 4A 24LFCSP

CDBU0130L-HF

CDBU0130L-HF

Comchip Technology

DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0603

CY7C65632-28LTXCT

CY7C65632-28LTXCT

Cypress Semiconductor

IC CONTROLLER USB 28QFN

USB2512I-AEZG

USB2512I-AEZG

Microchip Technology

IC USB 2.0 2PORT HUB CTLR 36-QFN

PA0277NL

PA0277NL

Pulse Electronics Power

FIXED IND 700NH 10.7A 95 MOHM

FDD8880

FDD8880

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

W25X40CLSSIG

W25X40CLSSIG

Winbond Electronics

IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC

MC9RS08KA2CSC

MC9RS08KA2CSC

NXP

IC MCU 8BIT 2KB FLASH 8SOIC

5CEFA4U19C8N

5CEFA4U19C8N

Intel

IC FPGA 224 I/O 484UBGA