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STD30NF06T4

STD30NF06T4

Nur als Referenz

Teilenummer STD30NF06T4
PNEDA Teilenummer STD30NF06T4
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 22.398
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 8 - Mai 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STD30NF06T4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTD30NF06T4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STD30NF06T4, STD30NF06T4 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 460,78 KB)
PDFSTD30NF06 Datenblatt Cover
STD30NF06 Datenblatt Seite 2 STD30NF06 Datenblatt Seite 3 STD30NF06 Datenblatt Seite 4 STD30NF06 Datenblatt Seite 5 STD30NF06 Datenblatt Seite 6 STD30NF06 Datenblatt Seite 7 STD30NF06 Datenblatt Seite 8 STD30NF06 Datenblatt Seite 9 STD30NF06 Datenblatt Seite 10

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STD30NF06T4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ II
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.28A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1750pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)70W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 11A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 15V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7050pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Paket / Fall

TO-247-3

SI5499DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 8V

Vgs (Max)

±5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1290pF @ 4V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 6.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

1206-8 ChipFET™

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

NTP6448ANG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 76A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IRLD014PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

APTC60SKM24CT1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

95A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

462W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SP1

Paket / Fall

SP1

Kürzlich verkauft

LTC6995IS6-1#TRMPBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC OSC SILICON PROG TSOT23-6

USBLC6-2SC6

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TVS DIODE 5.25V 17V SOT23-6

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IC DGTL POT 50KOHM 256TAP 14SOIC

MF-R090

MF-R090

Bourns

PTC RESET FUSE 60V 900MA RADIAL

SMCJ5.0CA

SMCJ5.0CA

TVS DIODE 5V 9.2V DO214AB

ADM3202ARNZ-REEL

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Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

ILHB0805ER601V

ILHB0805ER601V

Vishay Dale

FERRITE BEAD 600 OHM 0805 1LN

PMEG4010EH,115

PMEG4010EH,115

Nexperia

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123F

1014-12

1014-12

Microsemi

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

FIN1019MTCX

FIN1019MTCX

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IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14TSSOP

BLM15AG221SN1D

BLM15AG221SN1D

Murata

FERRITE BEAD 220 OHM 0402 1LN

LTC2950IDDB-1#TRMPBF

LTC2950IDDB-1#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC PUSH BUTTON ON/OFF CTRLR 8DFN