Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STD3N40K3

STD3N40K3

Nur als Referenz

Teilenummer STD3N40K3
PNEDA Teilenummer STD3N40K3
Beschreibung MOSFET N CH 400V 2A DPAK
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.308
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 17 - Mai 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STD3N40K3 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTD3N40K3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STD3N40K3, STD3N40K3 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 973,61 KB)
PDFSTD3N40K3 Datenblatt Cover
STD3N40K3 Datenblatt Seite 2 STD3N40K3 Datenblatt Seite 3 STD3N40K3 Datenblatt Seite 4 STD3N40K3 Datenblatt Seite 5 STD3N40K3 Datenblatt Seite 6 STD3N40K3 Datenblatt Seite 7 STD3N40K3 Datenblatt Seite 8 STD3N40K3 Datenblatt Seite 9 STD3N40K3 Datenblatt Seite 10 STD3N40K3 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STD3N40K3 Datasheet
  • where to find STD3N40K3
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STD3N40K3
  • STD3N40K3 PDF Datasheet
  • STD3N40K3 Stock

  • STD3N40K3 Pinout
  • Datasheet STD3N40K3
  • STD3N40K3 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STD3N40K3 Price
  • STD3N40K3 Distributor

STD3N40K3 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSuperMESH3™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)400V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds165pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)30W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDP2552

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Ta), 37A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

SI4447DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

15V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72mOhm @ 4.5A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

805pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FQPF11N40C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

530mOhm @ 5.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

44W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

SPD04P10PLGBTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 380µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

372pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

38W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI2310-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

247pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

350mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Kürzlich verkauft

ESD3V3D5B-TP

ESD3V3D5B-TP

Micro Commercial Co

TVS DIODE 3.3V 12V SOD523

FSAM30SH60A

FSAM30SH60A

ON Semiconductor

SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA

SP3010-04UTG

SP3010-04UTG

Littelfuse

TVS DIODE 6V 12.3V 10UDFN

LTC1760IFW#PBF

LTC1760IFW#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC MANAGER BATTERY DUAL 48TSSOP

ULN2804A

ULN2804A

STMicroelectronics

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

IS62WV51216BLL-55TLI

IS62WV51216BLL-55TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

AT49F040-12TI

AT49F040-12TI

Microchip Technology

IC FLASH 4M PARALLEL 32TSOP

MAX15027ATB/V+T

MAX15027ATB/V+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR POS ADJ 1A 10TDFN

8121-RC

8121-RC

Bourns

COMMON MODE CHOKE 1MH 20A 2LN TH

BZV49-C18,115

BZV49-C18,115

Nexperia

DIODE ZENER 18V 1W SOT89

0251007.NRT1L

0251007.NRT1L

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC AXIAL

CAT28C64BLI90

CAT28C64BLI90

ON Semiconductor

IC EEPROM 64K PARALLEL 28DIP