Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STF13NM50N

STF13NM50N

Nur als Referenz

Teilenummer STF13NM50N
PNEDA Teilenummer STF13NM50N
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FP
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.392
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STF13NM50N Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTF13NM50N
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STF13NM50N, STF13NM50N Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 578,72 KB)
PDFSTB13NM50N Datenblatt Cover
STB13NM50N Datenblatt Seite 2 STB13NM50N Datenblatt Seite 3 STB13NM50N Datenblatt Seite 4 STB13NM50N Datenblatt Seite 5 STB13NM50N Datenblatt Seite 6 STB13NM50N Datenblatt Seite 7 STB13NM50N Datenblatt Seite 8 STB13NM50N Datenblatt Seite 9 STB13NM50N Datenblatt Seite 10 STB13NM50N Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STF13NM50N Datasheet
  • where to find STF13NM50N
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STF13NM50N
  • STF13NM50N PDF Datasheet
  • STF13NM50N Stock

  • STF13NM50N Pinout
  • Datasheet STF13NM50N
  • STF13NM50N Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STF13NM50N Price
  • STF13NM50N Distributor

STF13NM50N Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ II
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs320mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds960pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)25W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220FP
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF2807L

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

82A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3820pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

230W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

690W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

SPA04N50C3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

560V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

950mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

31W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

FQD10N20TF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 51W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

R5005CNJTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LPTS

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

M24256-BRMN6TP

M24256-BRMN6TP

STMicroelectronics

IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8SO

IRF630NPBF

IRF630NPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB

HSMG-C680

HSMG-C680

Broadcom

LED GREEN CLEAR CHIP SMD R/A

PDS760-13

PDS760-13

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 7A POWERDI5

STW14NM50

STW14NM50

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 550V 14A TO-247

DS2401P+T&R

DS2401P+T&R

Maxim Integrated

IC SILICON SERIAL NUMBER 6TSOC

ATXMEGA32A4U-AU

ATXMEGA32A4U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 32KB FLASH 44TQFP

1812L110/33MR

1812L110/33MR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 33V 1.1A 1812

HUF75344P3

HUF75344P3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

SC18IS600IBS,157

SC18IS600IBS,157

NXP

IC I2C BUS INTERFACE 24-HVQFN

HCPL-0531-500E

HCPL-0531-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH TRANS 8SOIC

SESD0402X1BN-0010-098

SESD0402X1BN-0010-098

Littelfuse

TVS DIODE 7V 10V 0402