STF7N52DK3
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| Teilenummer | STF7N52DK3 |
| PNEDA Teilenummer | STF7N52DK3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 525V 6A TO-220FP |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 20.736 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STF7N52DK3 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STF7N52DK3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STF7N52DK3 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | SuperFREDmesh3™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 525V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15Ohm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 25W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FP |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 127nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7660pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 520W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
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