STGB10M65DF2
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| Teilenummer | STGB10M65DF2 |
| PNEDA Teilenummer | STGB10M65DF2 |
| Beschreibung | IGBT 650V 10A D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.598 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGB10M65DF2 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB10M65DF2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGB10M65DF2 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 40A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 115W |
| Schaltenergie | 120µJ (on), 270µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 28nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 19ns/91ns |
| Testbedingung | 400V, 10A, 22Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 96ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 28A Leistung - max 250W Schaltenergie 2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 92nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/180ns Testbedingung 960V, 28A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
