STGB19NC60KDT4
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| Teilenummer | STGB19NC60KDT4 |
| PNEDA Teilenummer | STGB19NC60KDT4 |
| Beschreibung | IGBT 600V 35A 125W D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.376 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGB19NC60KDT4 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB19NC60KDT4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
STGB19NC60KDT4, STGB19NC60KDT4 Datenblatt
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STGB19NC60KDT4 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 35A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 75A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.75V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 125W |
| Schaltenergie | 165µJ (on), 255µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 55nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/105ns |
| Testbedingung | 480V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A Leistung - max 167W Schaltenergie 200µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 116nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 38ns/149ns Testbedingung 400V, 20A, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 40A Leistung - max 454W Schaltenergie 1.4mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 221nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/220ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 166ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket TO-247-4L |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 540nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 90ns/580ns Testbedingung 600V, 75A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 10A Leistung - max 42W Schaltenergie 260µJ (on), 70µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 17.4nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/72ns Testbedingung 400V, 10A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 105ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220-3F |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 20A Leistung - max 230W Schaltenergie 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 43nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/238ns Testbedingung 1500V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 1.7µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
