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STGB35N35LZ-1

STGB35N35LZ-1

Nur als Referenz

Teilenummer STGB35N35LZ-1
PNEDA Teilenummer STGB35N35LZ-1
Beschreibung IGBT 345V 40A 176W I2PAK
Hersteller STMicroelectronics
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STGB35N35LZ-1 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGB35N35LZ-1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGB35N35LZ-1, STGB35N35LZ-1 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 714,43 KB)
PDFSTGP35N35LZ Datenblatt Cover
STGP35N35LZ Datenblatt Seite 2 STGP35N35LZ Datenblatt Seite 3 STGP35N35LZ Datenblatt Seite 4 STGP35N35LZ Datenblatt Seite 5 STGP35N35LZ Datenblatt Seite 6 STGP35N35LZ Datenblatt Seite 7 STGP35N35LZ Datenblatt Seite 8 STGP35N35LZ Datenblatt Seite 9 STGP35N35LZ Datenblatt Seite 10 STGP35N35LZ Datenblatt Seite 11

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STGB35N35LZ-1 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)345V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 4.5V, 15A
Leistung - max176W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge49nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.1.1µs/26.5µs
Testbedingung300V, 15A, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
LieferantengerätepaketI2PAK (TO-262)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

105A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

1.9mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

74nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/78ns

Testbedingung

450V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

AUIRGP35B60PD-E

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 35A

Leistung - max

308W

Schaltenergie

220µJ (on), 215µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/110ns

Testbedingung

390V, 22A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

RJH60A01RDPD-A0#J2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 5A

Leistung - max

29.4W

Schaltenergie

130µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

11nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/40ns

Testbedingung

300V, 5A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252

IRGP35B60PD-EP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 35A

Leistung - max

308W

Schaltenergie

220µJ (on), 215µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/110ns

Testbedingung

390V, 22A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

165A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 80A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

4.3mJ (on), 1.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

145nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/90ns

Testbedingung

450V, 80A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

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CLF7045T-2R2N

TDK

FIXED IND 2.2UH 4.3A 14.6 MOHM

TPSD227K006R0100

TPSD227K006R0100

CAP TANT 220UF 10% 6.3V 2917

F951E106MAAAQ2

F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206

LTC2855IDE

LTC2855IDE

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 12DFN

AUIRF2804S

AUIRF2804S

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 160V 0.6A SOT23

DG455EY-T1-E3

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Vishay Siliconix

IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC

ADP2147ACBZ-150-R7

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