STGB8NC60KT4
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| Teilenummer | STGB8NC60KT4 |
| PNEDA Teilenummer | STGB8NC60KT4 |
| Beschreibung | IGBT 600V 15A 65W D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 19.032 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGB8NC60KT4 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB8NC60KT4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGB8NC60KT4 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 15A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 30A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.75V @ 15V, 3A |
| Leistung - max | 65W |
| Schaltenergie | 55µJ (on), 85µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 19nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 17ns/72ns |
| Testbedingung | 390V, 3A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 240A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 120A Leistung - max 750W Schaltenergie 8.2mJ (on), 2.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 360nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 69ns/198ns Testbedingung 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 360ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket SUPER-247™ (TO-274AA) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 24A Leistung - max 250W Schaltenergie 100µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/105ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 20A Leistung - max 250W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.35µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXBH) |
Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX3™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 86A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 195A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 300W Schaltenergie 800µJ (on), 1.25mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 68nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/140ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1100V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 30A Leistung - max 333W Schaltenergie 1.15mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 180nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/350ns Testbedingung 600V, 30A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
