STGD5NB120SZ-1
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| Teilenummer | STGD5NB120SZ-1 |
| PNEDA Teilenummer | STGD5NB120SZ-1 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 10A 75W IPAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 53.454 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGD5NB120SZ-1 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGD5NB120SZ-1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGD5NB120SZ-1 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 10A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 5A |
| Leistung - max | 75W |
| Schaltenergie | 2.59mJ (on), 9mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 690ns/12.1µs |
| Testbedingung | 960V, 5A, 1kOhm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Lieferantengerätepaket | I-PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8.2A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 9A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A Leistung - max 29W Schaltenergie 290µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 8.6nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9.2ns/281ns Testbedingung 800V, 3A, 82Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 52ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
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