STGD7NB120ST4
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| Teilenummer | STGD7NB120ST4 |
| PNEDA Teilenummer | STGD7NB120ST4 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 10A 55W DPAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.794 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGD7NB120ST4 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGD7NB120ST4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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STGD7NB120ST4 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 20A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 7A |
| Leistung - max | 55W |
| Schaltenergie | 3.2µJ (on), 15mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 29nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 570ns/- |
| Testbedingung | 960V, 7A, 1kOhm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 8A Leistung - max 100W Schaltenergie 200µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/100ns Testbedingung 400V, 8A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 86ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max 375W Schaltenergie 760µJ (on), 180µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 128nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 43ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12.5A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 5A Leistung - max 69W Schaltenergie 247µJ (on), 94µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 6.7nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 4.8ns/24.8ns Testbedingung 600V, 5A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 10A Leistung - max 92W Schaltenergie 320µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 52nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/178ns Testbedingung 400V, 10A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 40A Leistung - max 148W Schaltenergie 1.11mJ (on), 1.68mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 98nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 53ns/227ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
