STGF19NC60WD
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| Teilenummer | STGF19NC60WD |
| PNEDA Teilenummer | STGF19NC60WD |
| Beschreibung | IGBT 600V 14A 32W TO220FP |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.406 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGF19NC60WD Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGF19NC60WD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGF19NC60WD Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 14A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 32W |
| Schaltenergie | 81µJ (on), 125µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 53nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 25ns/90ns |
| Testbedingung | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max 144W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 40nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/73ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 58ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 6.5A Leistung - max 60W Schaltenergie 85µJ (on), 95µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/70ns Testbedingung 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 12A Leistung - max 125W Schaltenergie 165µJ (on), 255µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/105ns Testbedingung 480V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max 56W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 40nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/73ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 58ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
