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STGP20M65DF2

STGP20M65DF2

Nur als Referenz

Teilenummer STGP20M65DF2
PNEDA Teilenummer STGP20M65DF2
Beschreibung IGBT TRENCH 650V 40A TO220
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 16.668
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 29 - Jun 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGP20M65DF2 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGP20M65DF2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGP20M65DF2, STGP20M65DF2 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 515,89 KB)
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STGP20M65DF2 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieM
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 20A
Leistung - max166W
Schaltenergie140µJ (on), 560µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge63nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.26ns/108ns
Testbedingung400V, 20A, 12Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)166ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

134A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

260A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 70A

Leistung - max

595W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

305nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/170ns

Testbedingung

433V, 70A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

T-MAX™ [B2]

IGW30N100TFKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

412W

Schaltenergie

3.8mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

217nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/535ns

Testbedingung

600V, 30A, 16Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

NGTB75N60SWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Leistung - max

595W

Schaltenergie

1.5mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

110ns/270ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

NGTB20N120LWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

192W

Schaltenergie

3.1mJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

86ns/235ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

29A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

70A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 8A

Leistung - max

280W

Schaltenergie

2.6mJ (on), 1.07mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/180ns

Testbedingung

1250V, 8A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

TO-247HV

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