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STGW40H120F2

STGW40H120F2

Nur als Referenz

Teilenummer STGW40H120F2
PNEDA Teilenummer STGW40H120F2
Beschreibung IGBT 1200V 40A HS TO-247
Hersteller STMicroelectronics
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STGW40H120F2 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW40H120F2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGW40H120F2, STGW40H120F2 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 995,35 KB)
PDFSTGWA40H120F2 Datenblatt Cover
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STGW40H120F2 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 40A
Leistung - max468W
Schaltenergie1mJ (on), 1.32mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge158nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/152ns
Testbedingung600V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

59A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.77V @ 15V, 24A

Leistung - max

246W

Schaltenergie

532µJ (on), 311µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

77nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/90ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

102ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-262

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Leistung - max

360W

Schaltenergie

3.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

248nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

62ns/220ns

Testbedingung

480V, 75A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

PLUS264™

IRGP6690D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

Leistung - max

483W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

85ns/222ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

79A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

230W

Schaltenergie

860µJ (on), 400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/130ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

73ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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RGT8BM65DTL

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Rohm Semiconductor

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-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

Leistung - max

62W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/69ns

Testbedingung

400V, 4A, 50Ohm, 15V

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40ns

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