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STGW45HF60WDI

STGW45HF60WDI STGW45HF60WDI

Nur als Referenz

Teilenummer STGW45HF60WDI
PNEDA Teilenummer STGW45HF60WDI
Beschreibung IGBT 600V 70A 250W TO247
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 4.122
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 4 - Mai 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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STGW45HF60WDI Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW45HF60WDI
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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STGW45HF60WDI Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 30A
Leistung - max250W
Schaltenergie330µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge160nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/145ns
Testbedingung400V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)90ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

27A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Leistung - max

25W

Schaltenergie

140µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/87ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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NGTB35N60FL2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

840µJ (on), 280µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

125nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

72ns/132ns

Testbedingung

400V, 35A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

STGW60H65DFB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

1.09mJ (on), 626µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

306nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

51ns/160ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

SGP30N60HSXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

112A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.15mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

141nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/250ns

Testbedingung

400V, 30A, 11Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

1.13mJ (on), 310µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/115ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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