STGW60H60DLFB
Nur als Referenz
| Teilenummer | STGW60H60DLFB | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | STGW60H60DLFB | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 80A 375W TO-247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | STMicroelectronics | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 203 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
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STGW60H60DLFB Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGW60H60DLFB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGW60H60DLFB Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 375W |
| Schaltenergie | 626µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 306nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | -/160ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 283W Schaltenergie 498mJ (on), 363mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/142ns Testbedingung 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 50A Leistung - max 300W Schaltenergie 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/110ns Testbedingung 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXGK) |
Hersteller IXYS Serie XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 29A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 70A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 8A Leistung - max 280W Schaltenergie 2.6mJ (on), 1.07mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 45nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/180ns Testbedingung 1250V, 8A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 5ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 8A Leistung - max 94W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/33ns Testbedingung 400V, 8A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket TO-262 |
