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STK12C68-WF25

STK12C68-WF25

Nur als Referenz

Teilenummer STK12C68-WF25
PNEDA Teilenummer STK12C68-WF25
Beschreibung IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $500,1080
50 ---------- $476,6655
100 ---------- $453,2229
200 ---------- $429,7803
400 ---------- $410,2449
500 ---------- $390,7094
Auf Lager 3.831
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STK12C68-WF25 Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTK12C68-WF25
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
STK12C68-WF25, STK12C68-WF25 Datenblatt (Total Pages: 24, Größe: 1.721,31 KB)
PDFSTK12C68-PF55 Datenblatt Cover
STK12C68-PF55 Datenblatt Seite 2 STK12C68-PF55 Datenblatt Seite 3 STK12C68-PF55 Datenblatt Seite 4 STK12C68-PF55 Datenblatt Seite 5 STK12C68-PF55 Datenblatt Seite 6 STK12C68-PF55 Datenblatt Seite 7 STK12C68-PF55 Datenblatt Seite 8 STK12C68-PF55 Datenblatt Seite 9 STK12C68-PF55 Datenblatt Seite 10 STK12C68-PF55 Datenblatt Seite 11

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STK12C68-WF25 Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße64Kb (8K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit25ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall28-DIP (0.600", 15.24mm)
Lieferantengerätepaket28-DIP

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

48-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

48-PDIP

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

120MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 2.4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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