STL105NS3LLH7
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| Teilenummer | STL105NS3LLH7 |
| PNEDA Teilenummer | STL105NS3LLH7 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT56 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.762 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STL105NS3LLH7 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STL105NS3LLH7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STL105NS3LLH7 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 105A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 13.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.7nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2110pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 62.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerFlat™ (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.5nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1972pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 62.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall SC-100, SOT-669 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 41.6A (Ta), 131A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.63mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (Max) +20V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 48W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Paket / Fall PowerPAK® SO-8 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4560pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 330W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-262 Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.4nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 500mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
