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STL11N65M5

STL11N65M5

Nur als Referenz

Teilenummer STL11N65M5
PNEDA Teilenummer STL11N65M5
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 9A POWERFLAT
Hersteller STMicroelectronics
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STL11N65M5 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTL11N65M5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STL11N65M5, STL11N65M5 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 1.036,02 KB)
PDFSTL11N65M5 Datenblatt Cover
STL11N65M5 Datenblatt Seite 2 STL11N65M5 Datenblatt Seite 3 STL11N65M5 Datenblatt Seite 4 STL11N65M5 Datenblatt Seite 5 STL11N65M5 Datenblatt Seite 6 STL11N65M5 Datenblatt Seite 7 STL11N65M5 Datenblatt Seite 8 STL11N65M5 Datenblatt Seite 9 STL11N65M5 Datenblatt Seite 10 STL11N65M5 Datenblatt Seite 11

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STL11N65M5 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs530mOhm @ 4.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds644pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)70W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerFLAT™ (5x5)
Paket / Fall8-PowerVDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

EPC2039

EPC

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 5V

Vgs (Max)

+6V, -4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Die

Paket / Fall

Die

AON7432

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.5A (Ta), 18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

813pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 20.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN (3x3)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 275µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

206nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14800pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-7

Paket / Fall

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

FQI2N30TU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 1.05A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.13W (Ta), 40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK (TO-262)

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IXTN62N50L

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

62A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 500mA, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

550nC @ 20V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

800W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Kürzlich verkauft

HSMG-C170

HSMG-C170

Broadcom

LED GREEN DIFFUSED CHIP SMD

IRF7343TRPBF

IRF7343TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC

SRR0735A-100M

SRR0735A-100M

Bourns

FIXED IND 10UH 2.1A 72 MOHM SMD

ECS-327SMO-TR

ECS-327SMO-TR

ECS

XTAL OSC XO 32.7680KHZ CMOS SMD

5596101027F

5596101027F

Dialight

LED PMI SNAP-IN RED PVC FREE

XC2C256-7VQG100I

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Xilinx

IC CPLD 256MC 6.7NS 100VQFP

LTM8073IY#PBF

LTM8073IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-15V

564R60GAT22

564R60GAT22

Vishay Cera-Mite

CAP CER 220PF 6KV X5F RADIAL

TSV912IDT

TSV912IDT

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

MAX881REUB+

MAX881REUB+

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP 1OUT 10UMAX

7M-12.000MAAE-T

7M-12.000MAAE-T

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CRYSTAL 12.0000MHZ 12PF SMD

TCS-DL004-500-WH

TCS-DL004-500-WH

Bourns

SUPPRESSOR TCS DUAL 40V 500MA